主 旨：114年「高功率半導體磊晶技術與應用教師研習營」課程資訊

說 明：

1. 為擴展半導體材料生長技術與應用領域，並促進技職校院教師之學術與實務能力並重，使其教學內容更貼近半導體材料生長技術與相關設備產業現況與趨勢，提升教師教學之品質與資源。本研習營透過專題講座、設備實作與經驗分享，協助教師掌握高功率半導體（如 GaN、SiC、AlN、Ga2O3 等）磊晶製程的最新技術發展、產業應用與未來挑戰，強化跨領域整合與創新思維能力。期望培育具備產學連結能力之師資，進一步提升我國技術人才培育的深度與廣度，推動半導體關鍵材料與製程技術自主發展。
2. 課程時間：114年8月13日（三）、8月14日（四），共計2天 ，凡符合報名資格且全程參與課程者，將於課程結後擇期核發研習時數證明電子檔。
3. 課程地點：國家實驗研究院國家儀器科技研究中心。
4. 報名資格：國內各公私立大專校院及高中職在職教師。
5. 人數上限：實體30人。
6. 報名時間：即日起至114年8月8日（五）17點為止（若人數額滿將提前截止）。
7. 報名網址：https://forms.gle/SsfZjUAQ6gLsnfXB9。
8. 活動聯絡人：教育部產學連結執行辦公室-國立臺北科技大學賴專員，連絡電話:(02)2771-2171分機6020，電子郵件：lks@ntut.edu.tw。
9. 檢附「高功率半導體磊晶技術與應用教師研習營」課程表與宣傳海報。